鋰離子電池電極應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)

鋰離子電池電極應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)采用非接觸激光MOS技術(shù)；不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；客戶可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量；并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響；同時(shí)提高測(cè)試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；

原位薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)kSA MOS Film Stress Measurement System，又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)或原位薄膜應(yīng)力儀！


采用非接觸激光MOS技術(shù)；不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；客戶可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量；并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響；同時(shí)提高了測(cè)試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；

典型用戶：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國(guó)計(jì)量科學(xué)院等、半導(dǎo)體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；

鋰離子電池電極應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)

相關(guān)產(chǎn)品：
 *實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀（kSA MOS Film Stress Tester）：同樣采用多光束MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析；
 *薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）
 *薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（kSA MOS Film Stress Measurement System）

設(shè)備名稱：

kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;

主要特點(diǎn)：

  1.MOS多光束傳感器技術(shù)；
  2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對(duì)稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì)；
  3.適合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等；
  4.薄膜應(yīng)力各向異性測(cè)試和分析功能；
  5.生長(zhǎng)速率和薄膜厚度測(cè)量；（選件）
  6.光學(xué)常數(shù)n&k 測(cè)量；（選件）
  7.多基片測(cè)量功能；（選件）
  8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測(cè)量功能；（選件）
  9.實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù)，系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測(cè)試點(diǎn)；
  10.免除了測(cè)量丌受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響；

測(cè)試功能：

  1.實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測(cè)量
  2.實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測(cè)量
  3.實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測(cè)量
  4.實(shí)時(shí)原位薄膜生長(zhǎng)全過程應(yīng)力監(jiān)控等

充放電過程

動(dòng)力學(xué)循環(huán)過程