電容充放電測試儀

問題主要表現(xiàn)為：
1）對電源放電時速度很慢(10-100毫秒)，而實際上對負載放電一般在微秒到毫秒；
2）對電源放電時待測電壓線形下降, 而對負載放電時電壓是指數(shù)下降；
3）電滯回線測量過程中程序控制的實際是電源輸出電壓（假設(shè)樣品電壓與電源電壓一樣），樣品能量放回到了高壓電源；
4）對負載放電時如同自由落體，電壓*由樣品性能，負載（阻抗），與其中接線而定。可以選擇一個與應用相似的負載（成比例縮小）從而測得一個與應用相關(guān)的能量密度；
5）一般情況下由電滯回線測得的能量密度大于電容實際應用時能放出的能量密度，可能會誤導用戶；

為了更好的解決以上存在的實際測試問題，PolyK公司開發(fā)了該測試儀器，主要用于研究電容的高電壓放電性能，根據(jù)所選型號，電容樣品可以在100皮法到100微法。

電容充放電測試儀

主要特點：

1）本測試儀使用特殊高壓開關(guān)，分別控制充放電過程，其中放電開關(guān)速度快，相應速度在納秒量級；
2）使用高壓無感電阻作為放電負載，放出的能量有示波器采集，并經(jīng)過程序分析直接給出放電能量密度；
3）兩種操作模式:
    -手動控制：用戶手動控制充放電開關(guān)；
    -自動控制：計算機程序自動控制測試過程，并保存測試結(jié)果。尤其適合長期充放電壽命測試；

主要規(guī)格：
1）測試電壓: 10 kV (由所選高壓開關(guān)決定)；
2）樣品電容: < 100 pF to > 100 μF；
3）放電大電流: < 15 A（放電開關(guān)型號決定）；
4）放電電阻: < 1Ω to > 1 MΩ；
5）放電速度: 高壓MOSFET 開關(guān), 放電速度< 100納秒；
6）測試電流與電壓所用電源，樣品大小與放電電阻綜合決定；
7）設(shè)備選項：測試溫度可以保存；

新加功能：
1）測試介電壓電材料的介電擊穿強度：直流電擊穿，在恒定直流電壓擊穿時間（耐壓時間），交流擊穿強度，在恒定交流電壓擊穿時間（耐壓時間）；
2）能同時測試放電電流（在一定電流范圍內(nèi)）；
3）內(nèi)置示波器；
4）許使用特定的電感/電阻組合，研究放電震蕩；
5）允許反向電壓/電流；
6）提供軟硬件使得用戶可以極化壓電材料；
7）測試夾具；
8）定制低壓充放電測試薄膜樣品（100伏）；